Hersteller Produktnummer:
TSM4ND60CI C0G
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM4ND60CI C0G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventar:
12898999
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TSM4ND60CI C0G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
582 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
41.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
TSM4ND60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1801-TSM4ND60CIC0G
TSM4ND60CI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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